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电子束刻蚀系统

发布日期: 2015-06-09

 

型号:  Zeiss Supra55+Raith图形发生器
厂家:德国ZeissRaith公司
技术指标
  SEM
分辨率:2 nm 
 最小线宽:10 nm
 
单个单元的最大尺寸400um*400um

主要功能及应用范围
   采用电子束直接曝光的方法,制作纳米图形结构(最小线宽为12nm)。用于各种微纳器件与纳米人工结构的制作,是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具,也可用于直写高精度的光刻模板。如可用于制作下列器件与结构:微纳电子器件,光电子器件,生物传感器,微纳机电系统,超导电子学器件,磁电子学器件,低维材料输运性质测量的纳米电极,光子晶体与左手材料等。


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